英特尔和镁光（micron）最新发布首款采用基于Open NAND flash interface（ONFI）技术生产的新高速接口特性NAND flash闪存芯片，其读写性能可达到当前标准市售闪存产品的5倍以上。

　　当前镁光推出的超高速闪存芯片样品采用SLC（single layer cell单层芯片封装）规格8G bit容量版本设计，通过堆叠技术实现16G bit和32G bit等不同容量版本，并全部符合ONFI定义标准，其读写速度最快可以达到200MB/s，和100MB/s，而当前的闪存芯片读写速度最高则分别只有40MB/s和20MB/s。

Open NAND flash interface（ONFI）闪存技术

　　镁光方面表示，新闪存技术对比混合硬盘的读写速度还要快2～4倍，因此在传输数码相机视频的速度上将会更明显，尤其是在USB3.0标准即将推出的时候，另外借助intel的turbo memory技术也将会在新闪存产品中得到应用。

　　对比当前的闪存设备，新高速闪存技术采用双向数据源同步请求序列，并采用可升级的双倍速率数据IO接口，用以提升信号和针脚的传说空间容量。预计新产品将会在2008年下半年开始进入商业量产阶段。